SK海力士256GB DDR5 RDIMM已通过英特尔至强6认证，系业内首款；采用1b nm 32Gb芯片，推理性能提升16%、功耗降低18%，显著突破内存墙瓶颈。

如果您关注内存技术进展，发现SK海力士已公开展示DDR6内存原型，但实际使用中出现高延迟、时序不稳定或平台兼容性异常，则可能是由于新标准下信号完整性要求陡增、控制器尚未成熟或BIOS固件未同步适配所致。以下是解决此问题的步骤：

本文运行环境：ROG MAXIMUS Z790 HERO主板，Windows 11 24H2。

一、更新主板BIOS至支持DDR6原型的测试版本

DDR6原型芯片需依赖最新版UEFI固件中的内存训练逻辑与PHY层微码支持，旧版BIOS缺乏对8800MT/s以上起始频率的初始化时序定义，易导致训练失败或强制降频运行。

1、访问华硕官网支持页面，输入主板型号“ROG MAXIMUS Z790 HERO”，进入驱动与工具下载区。

2、查找标注为“Beta BIOS for DDR6 Prototype Support”的固件包，确认发布日期为2025年11月之后。

3、将下载的CAP文件复制至FAT32格式U盘根目录，插入主板USB 2.0接口。

4、开机按Del键进入UEFI，选择“Advanced Mode” → “Tool” → “EZ Flash 3 Utility”，从U盘加载该CAP文件并执行刷新。

5、刷新完成后断电静置30秒，重新上电并进入BIOS，进入“AI Tweaker”页面检查“DRAM Frequency”选项是否可选中“DDR6-12000”档位。

二、手动约束CL值与tRCD/tRP参数组合

DDR6原型在高频下默认启用宽松时序以保障稳定性，但部分平台因内存控制器电压裕量不足，会优先延长CAS Latency而非提升VDDQ，造成感知延迟升高；通过锁定低CL值并匹配合理tRCD/tRP可改善响应一致性。

1、在BIOS中关闭“DOCP/XMP/EXPO”自动配置，切换至“Manual Memory Configuration”模式。

2、将“DRAM Frequency”设为“DDR6-10400”，避免起步即启用12000档位带来的训练压力。

3、设置“CAS Latency (CL)”为22，同时将“tRCD”和“tRP”同步设为22，保持三者等值以降低时序失配风险。

4、将“VDDQ Voltage”手动提升至1.35V，注意不可超过1.40V以防颗粒过热降频。

5、保存退出后进入系统，运行AIDA64 Cache & Memory Benchmark，观察Read/Write/Latency三项数值是否收敛于标称值±5%范围内。

三、启用主板级信号完整性增强开关

Z790芯片组部分高端型号集成可编程SerDes均衡器，用于补偿DDR6高频下的PCB走线损耗与反射，该功能默认关闭，需通过隐藏菜单激活，否则易引发地址/控制总线误码，表现为随机蓝屏或内存测试失败。

1、开机按Shift+F2组合键（非Del键），进入“Engineer Mode”工程调试界面。

2、导航至“Memory Controller Tuning” → “PHY Equalization Control”，将“DQ/DQS EQ Mode”由“Auto”改为“Force Enhanced”。

3、在同页找到“Command/Address Lane Boost”，将其设为“Enabled”，其余子项保持默认。

4、按F10保存并重启，再次进入系统后运行MemTest86 v10.5，完成至少两轮完整测试（每轮约45分钟）。